品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€30W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:21A€34A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:30.9A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.71mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€30W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:21A€34A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:21A€36A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:21A€36A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€30W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:21A€34A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:21A€36A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:30.9A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.71mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€48W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:21A€36A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€30W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:21A€34A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€30W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:21A€34A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:30.9A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.71mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:P沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:30.9A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.71mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€30W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:21A€34A
类型:P沟道
导通电阻:7.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:30.9A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.71mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21357
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2830pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:8.5mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:30.9A€110A
类型:N沟道
导通电阻:2.71mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存: