品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.2W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:30.9A€110A
类型:N沟道
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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类型:N沟道
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规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
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功率:5W€65.7W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
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行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.3V@250µA
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:5.2W€65.7W
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品牌:VISHAY
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规格型号(MPN):SIR150DP-T1-RE3
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功率:5.2W€65.7W
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规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
输入电容:4000pF@20V
阈值电压:2.3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
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销售单位:个
规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
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类型:N沟道
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品牌:VISHAY
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功率:5.2W€65.7W
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导通电阻:2.71mΩ@15A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
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包装方式:卷带(TR)
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导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
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规格型号(MPN):SISS50DN-T1-GE3
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功率:5W€65.7W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:29.7A€108A
类型:N沟道
导通电阻:2.83mΩ@15A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
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