采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：979}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800100DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7835pF@50V
连续漏极电流：24A€162A
类型：N沟道
导通电阻：2.95mΩ@24A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：466}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-108ESQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5512pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：108V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS67DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30282，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：486psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-100ESQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5512pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：979}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8201TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.35V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7330pF@13V
连续漏极电流：49A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"24+"：979}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R9-100YSFX
工作温度：-55℃~150℃
功率：245W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7360pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS67DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMT800100DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€156W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7835pF@50V
连续漏极电流：24A€162A
类型：N沟道
导通电阻：2.95mΩ@24A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：30282，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：486psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R5-100ESQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5512pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR167DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRC18DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：54.3W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5060pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：1.1mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS67DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8201TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.35V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7330pF@13V
连续漏极电流：49A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR167DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFH8201TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W€156W
阈值电压：2.35V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7330pF@13V
连续漏极电流：49A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.95mΩ@50A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL0240N100
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8755pF@50V
连续漏极电流：210A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR167DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC027N10NS5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€214W
阈值电压：3.8V@146µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8200pF@50V
连续漏极电流：23A€100A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR167DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：65.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：111nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4380pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：5.5mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
