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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPHR9203PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK65E10N1,S1X 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X

    工作温度:150℃

    功率:192W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5400pF@50V

    连续漏极电流:148A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70060E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70060E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70060E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:3330pF@50V

    连续漏极电流:131A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@50V

    连续漏极电流:23.3A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC100N04S5L1R9ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ48NSTRLPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ48NSTRLPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1970pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU4510PBF 起订75个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFU4510PBF 起订75个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFU4510PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:143W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3031pF@50V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTG111N20NM3FDATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTG111N20NM3FDATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTG111N20NM3FDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€375W

    阈值电压:4V@267µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@100V

    连续漏极电流:10.8A€108A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@96A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTG210N25NM3FDATMA1 起订77个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTG210N25NM3FDATMA1 起订77个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":630,"24+":1800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTG210N25NM3FDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€375W

    阈值电压:4V@267µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7000pF@125V

    连续漏极电流:7.7A€77A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@69A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6610-75C,118 起订822个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6610-75C,118 起订822个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":329,"17+":378,"18+":6767}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6610-75C,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:158W

    阈值电压:2.8V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5251pF@25V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@25A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060P03NS3EGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060P03NS3EGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060P03NS3EGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.1V@150µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6020pF@15V

    连续漏极电流:17.7A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ48NPBF 起订66个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ48NPBF 起订66个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1970pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4510TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4510TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:143W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3031pF@50V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4510TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR4510TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:143W

    阈值电压:4V@100µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3031pF@50V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@38A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ48NPBF 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ48NPBF 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1970pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK90S06N1L,LQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK90S06N1L,LQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ

    工作温度:175℃

    功率:157W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@10V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ48NPBF 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ48NPBF 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48NPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:130W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1970pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP082N65S3F 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP082N65S3F 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPHR9203PL1,LQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPHR9203PL1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.1V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.92mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK90S06N1L,LQ 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK90S06N1L,LQ 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ

    工作温度:175℃

    功率:157W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@10V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BLE,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R4-30BLE,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:178W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4682pF@15V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ48NSTRLPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ48NSTRLPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€130W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1970pF@25V

    连续漏极电流:64A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@32A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18535KCS 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18535KCS

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6620pF@30V

    连续漏极电流:200A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7483MTRPBF 起订363个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7483MTRPBF 起订363个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":3799}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7483MTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:3.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3913pF@25V

    连续漏极电流:135A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@81A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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