首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    行业应用: 汽车
    栅极电荷: 81nC@10V
    工作温度: -55℃~150℃
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668ADP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668ADP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@50V

    连续漏极电流:23.3A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060P03NS3EGATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060P03NS3EGATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060P03NS3EGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.1V@150µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6020pF@15V

    连续漏极电流:17.7A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP082N65S3F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP082N65S3F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP082N65S3F 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP082N65S3F 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7483MTRPBF 起订363个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7483MTRPBF 起订363个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":3799}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7483MTRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:3.9V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3913pF@25V

    连续漏极电流:135A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@81A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP082N65S3F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP082N65S3F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR510DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR510DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR510DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4980pF@50V

    连续漏极电流:31A€126A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060P03NS3EGATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060P03NS3EGATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060P03NS3EGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.1V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6020pF@15V

    连续漏极电流:17.7A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060P03NS3EGATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060P03NS3EGATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060P03NS3EGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.1V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6020pF@15V

    连续漏极电流:17.7A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882BDP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882BDP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€83.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3762pF@50V

    连续漏极电流:16.5A€67.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F 起订450个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL082N65S3F 起订450个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB082N65S3F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB082N65S3F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB082N65S3F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB082N65S3F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB082N65S3F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB082N65S3F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@50V

    连续漏极电流:23.3A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB082N65S3F 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB082N65S3F 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB082N65S3F 起订400个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB082N65S3F 起订400个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL082N65S3F 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVHL082N65S3F 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1350}

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVHL082N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3410pF@400V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:82mΩ@20A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060P03NS3EGATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060P03NS3EGATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060P03NS3EGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.1V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6020pF@15V

    连续漏极电流:17.7A€100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882BDP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882BDP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€83.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3762pF@50V

    连续漏极电流:16.5A€67.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882BDP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882BDP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€83.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3762pF@50V

    连续漏极电流:16.5A€67.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订10个装
    谷峰 Mosfet场效应管 GT025N06AD5 起订10个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT025N06AD5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5044pF@30V

    连续漏极电流:170A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882BDP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR882BDP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR882BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€83.3W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3762pF@50V

    连续漏极电流:16.5A€67.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668ADP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR668ADP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@50V

    连续漏极电流:23.3A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧