采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STTFS015N10MCL
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€45W
阈值电压：3V@77µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10A€42A
类型：N沟道
导通电阻：12.9mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5500，"18+"：9900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1445-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1445-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：700，"17+"：41164}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1445-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1445-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13380pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13380pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：700，"17+"：41164}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SFT1445-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W€35W
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@20V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：111mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：13380pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN1600ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@8.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL40N10F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1270pF@50V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD9N10A_L2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€31W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.021nF@25V
连续漏极电流：9A€2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：152mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86102
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€62W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@50V
连续漏极电流：8A€36A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€79W
阈值电压：2.2V@282µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1338pF@50V
连续漏极电流：10.5A€54A
类型：N沟道
导通电阻：12.2mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
