采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2872，"22+"：956，"23+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1107，"19+"：21000，"21+"：1300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1107，"19+"：21000，"21+"：1300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1107，"19+"：21000，"21+"：1300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1107，"19+"：21000，"21+"：1300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2872，"22+"：956，"23+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1107，"19+"：21000，"21+"：1300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2872，"22+"：956，"23+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2872，"22+"：956，"23+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3944pF@25V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2872，"22+"：956，"23+"：2773}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC7570S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€59W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4410pF@13V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@27A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
