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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSSCATMA1 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSSCATMA1 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSSCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3P045ATTB1 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3P045ATTB1 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3P045ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W€20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@50V

    连续漏极电流:4.5A€14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:86mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.3V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:16A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS9N60ATRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4354 起订3个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4354 起订3个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4354

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2010pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR578EP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR578EP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR578EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.5W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@75V

    连续漏极电流:17.4A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3367pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3P045ATTB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RQ3P045ATTB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ3P045ATTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W€20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1990pF@50V

    连续漏极电流:4.5A€14.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:86mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2754pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK55S10N1,LQ 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK55S10N1,LQ 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK55S10N1,LQ

    工作温度:175℃

    功率:157W

    阈值电压:4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3280pF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@27.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.3V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:16A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6792 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6792 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6792

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€48W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3110pF@15V

    连续漏极电流:44A€85A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2754pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH43M8LPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3367pF@20V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.3V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:16A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRLPBF 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFS9N60ATRLPBF 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS9N60ATRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:9.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC0806NLSATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC0806NLSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:2.3V@61µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3400pF@50V

    连续漏极电流:16A€97A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R3-40YS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R3-40YS,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:117W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2754pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8447 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8447

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.6nF@20V

    连续漏极电流:12.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@10V,12.8A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSSCATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC028N06NSSCATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC028N06NSSCATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:3.3V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3375pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86340ET80 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86340ET80 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86340ET80

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.8W€65W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2775pF@40V

    连续漏极电流:14A€68A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@14A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876ADP-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876ADP-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876ADP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1630pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R606NH,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH4R606NH,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH4R606NH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:1.6W€63W

    阈值电压:4V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3965pF@30V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN016-100BS,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:49nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2404pF@50V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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