采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：522，"14+"：2500，"15+"：5000}
包装规格(MPQ)：376psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGD8205ANT4G
ECCN：EAR99
包装方式：散装
栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@4.5V，20A
关断延迟时间：5μs
集电极截止电流(Ices)：390V
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：522，"14+"：2500，"15+"：5000}
包装规格(MPQ)：376psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGD8205ANT4G
ECCN：EAR99
包装方式：散装
栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@4.5V，20A
关断延迟时间：5μs
集电极截止电流(Ices)：390V
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：150，"11+"：4670，"14+"：20000}
包装规格(MPQ)：683psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK624R5-30C，118
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.707nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSCSM120SKM31CTBL1NG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：310W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：232nC@20V
包装方式：散装
输入电容：3.02nF@1000V
连续漏极电流：79A
类型：1个N沟道
导通电阻：31mΩ@40A，20V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA170S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：278W
阈值电压：3.25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：178nC
包装方式：散装
连续漏极电流：59A
类型：MOSFET
导通电阻：35mΩ
漏源电压：1.7kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：683psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK624R5-30C，118
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.707nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：683psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK624R5-30C，118
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.707nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：376psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGD8205ANT4G
包装方式：散装
栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@4.5V，20A
关断延迟时间：5μs
集电极截止电流(Ices)：390V
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：522，"14+"：2500，"15+"：5000}
包装规格(MPQ)：376psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGD8205ANT4G
ECCN：EAR99
包装方式：散装
栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@4.5V，20A
关断延迟时间：5μs
集电极截止电流(Ices)：390V
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
生产批次：{"12+"：522，"14+"：2500，"15+"：5000}
包装规格(MPQ)：376psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGD8205ANT4G
ECCN：EAR99
包装方式：散装
栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@4.5V，20A
关断延迟时间：5μs
集电极截止电流(Ices)：390V
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：150，"11+"：4670，"14+"：20000}
包装规格(MPQ)：683psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK624R5-30C，118
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.707nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：376psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NGD8205ANT4G
包装方式：散装
栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@4.5V，20A
关断延迟时间：5μs
集电极截止电流(Ices)：390V
工作温度：-55℃~+175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：683psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK624R5-30C，118
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.707nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：683psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK624R5-30C，118
工作温度：-55℃~+175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.707nF@25V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
包装规格(MPQ)：376psc
生产批次：{"12+"：522，"14+"：2500，"15+"：5000}
规格型号(MPN)：NGD8205ANT4G
集电极截止电流(Ices)：390V
关断延迟时间：5μs
包装方式：散装
工作温度：-55℃~+175℃
栅极阈值电压(Vge(th))：1.9V@4.5V，20A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：268psc
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
类型：1个N沟道
输入电容：4.57nF@25V
功率：250W
栅极电荷：77nC@10V
导通电阻：70mΩ@17A，10V
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：35A
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：683psc
规格型号(MPN)：BUK624R5-30C，118
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
输入电容：4.707nF@25V
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：90A
功率：158W
栅极电荷：78nC@10V
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：480psc
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
输入电容：5.858nF@100V
类型：1个N沟道
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：47A
导通电阻：73mΩ@22A，10V
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：266nC@10V
功率：500W
ECCN：EAR99
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：683psc
规格型号(MPN)：BUK624R5-30C，118
导通电阻：4.5mΩ@25A，10V
输入电容：4.707nF@25V
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：90A
功率：158W
栅极电荷：78nC@10V
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
