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    栅极电荷
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    集电极电流(Ic)
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    连续漏极电流
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    行业应用: 汽车
    工作温度: -55℃~+175℃
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    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LK3-13

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:46.9A€10.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N10S3L-34 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD30N10S3L-34 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD30N10S3L-34

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:57W

    阈值电压:1.2V

    栅极电荷:24nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:30A

    类型:MOSFET

    导通电阻:31mΩ

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA600CEJW-T1_GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQA600CEJW-T1_GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQA600CEJW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:13.6W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:54.6mΩ@3A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS142ELNW-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS142ELNW-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS142ELNW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:113W

    阈值电压:3.3V

    栅极电荷:23nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:110A

    类型:MOSFET

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD120AN15A0 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD120AN15A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:2.8A€14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:120mΩ@10V,4A

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPTC015N10NM5ATMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPTC015N10NM5ATMA1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€375W

    阈值电压:3.8V@275μA

    栅极电荷:208nC@10V

    输入电容:16nF@50V

    连续漏极电流:354A€35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5H610NLWFT1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5H610NLWFT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.6W€52W

    阈值电压:2V@40μA

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@30V

    连续漏极电流:13A€48A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:10mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD3055LESM9A 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD3055LESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:38W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:107mΩ@8A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06LCR RLG 起订2500个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM220NB06LCR RLG 起订2500个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM220NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:68W

    阈值电压:1V

    栅极电荷:23nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:35A

    类型:MOSFET

    导通电阻:22mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R104PB,L1XHQ 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R104PB,L1XHQ 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW1R104PB,L1XHQ

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:132W

    阈值电压:3V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:120A

    类型:MOSFET

    导通电阻:1.14mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N08N5 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N08N5 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB017N08N5

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V

    栅极电荷:223nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:120A

    类型:MOSFET

    导通电阻:1.5mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y33-60P,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK6Y33-60P,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK6Y33-60P,115

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:110W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:69nC@10V

    输入电容:2.59nF@30V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:33mΩ@7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR90-50SLHAX 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR90-50SLHAX 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMNR90-50SLHAX

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.2V

    栅极电荷:112nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:410A

    类型:MOSFET

    导通电阻:900μΩ

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP80NF55 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP80NF55 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP80NF55

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:189nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:80A

    类型:MOSFET

    导通电阻:5mΩ

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L-08 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L-08 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L-08

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:46W

    阈值电压:1.2V

    栅极电荷:30nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:50A

    类型:MOSFET

    导通电阻:6.2mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH48M3SFVWQ-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH48M3SFVWQ-7

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.82W€36.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:12.1nC@10V

    输入电容:897pF@20V

    连续漏极电流:14.6A€52.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S4-06 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD75N04S4-06 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):2500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD75N04S4-06

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:58W

    阈值电压:3V

    栅极电荷:32nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:75A

    类型:MOSFET

    导通电阻:5.9mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS9D0N10MC 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.8W€68W

    阈值电压:3V@131μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.695nF@50V

    连续漏极电流:14A€60A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:13pF@50V

    导通电阻:7.8mΩ@10V,23A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS0D4N04CTXG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMTS0D4N04CTXG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMTS0D4N04CTXG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:244W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:251nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:558A

    类型:MOSFET

    导通电阻:450μΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1 起订16个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD11N06A-AU_L2_000A1 起订16个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD11N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:2.4W€30W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:11A€3.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:75mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFD 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB117N20NFD 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB117N20NFD

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:300W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:87nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:84A

    类型:MOSFET

    导通电阻:10.3mΩ

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D16-20X 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D16-20X 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK4D16-20X

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:19W

    阈值电压:1.3V

    栅极电荷:15nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:26A

    类型:MOSFET

    导通电阻:16mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8880 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.26nF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9mΩ@10V,35A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST IGBT STGWA100H65DFB2 起订1个装
    ST IGBT STGWA100H65DFB2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):STGWA100H65DFB2

    栅极阈值电压(Vge(th)):2V@15V,100A

    关断延迟时间:130ns

    反向恢复时间:123ns

    关断损耗:1.4mJ

    开启延迟时间:30ns

    集电极截止电流(Ices):650V

    栅极电荷:288nC

    类型:FS(场截止)

    导通损耗:2.2mJ

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L-35 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N06S2L-35 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):5000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N06S2L-35

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:65W

    阈值电压:1.6V

    栅极电荷:23nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:20A

    类型:MOSFET

    导通电阻:35mΩ

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP036N10A 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP036N10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:116nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7.295nF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@75A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi IGBT NGB8207BNT4G 起订535个装
    onsemi IGBT NGB8207BNT4G 起订535个装

    品牌:ON SEMI

    分类:IGBT

    行业应用:汽车,工业

    生产批次:{"12+":800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NGB8207BNT4G

    ECCN:EAR99

    栅极阈值电压(Vge(th)):2.6V@4V,20A

    集电极截止电流(Ices):365V

    工作温度:-55℃~+175℃

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP034N03L G 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP034N03L G 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP034N03L G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:94W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:51nC@10V

    输入电容:5.3nF@15V

    连续漏极电流:80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:81pF@15V

    导通电阻:2.8mΩ@10V,30A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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