包装规格(MPQ)：2500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPD90N04S4L-04

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：1.2V

栅极电荷：60nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：90A

类型：MOSFET

导通电阻：3.2mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：136，"22+"：1000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP180N10N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2V

栅极电荷：25nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：43A

类型：MOSFET

导通电阻：15.5mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：3465，"22+"：700}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：19nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：12.9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：19nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：12.9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：19nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：12.9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：3465，"22+"：700}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：19nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：12.9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：3.8V

栅极电荷：19nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：12.9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

包装方式：卷带（TR）

类型：1个N沟道

栅极电荷：64nC@10V

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

连续漏极电流：45A

漏源电压：60V

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

工作温度：-55℃~+175℃

输入电容：4.78nF@25V

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

生产批次：{"21+"：3465，"22+"：700}

包装规格(MPQ)：1000psc

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

导通电阻：12.9mΩ

功率：71W

阈值电压：3.8V

包装方式：Tube

工作温度：-55℃~+175℃

连续漏极电流：52A

ECCN：EAR99

漏源电压：100V

栅极电荷：19nC

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"21+"：3465，"22+"：700}

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP129N10NF2SAKMA1

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：3.8V

ECCN：EAR99

栅极电荷：19nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：52A

类型：MOSFET

导通电阻：12.9mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"15+"：136，"22+"：1000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB45N06S4L08ATMA3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：71W

阈值电压：2.2V@35μA

栅极电荷：64nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：4.78nF@25V

连续漏极电流：45A

类型：1个N沟道

导通电阻：7.9mΩ@45A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1