包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：132W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：55nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.14mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB017N08N5

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：223nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.5mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP036N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：116nC@10V

包装方式：管件

输入电容：7.295nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@75A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP023N10N5

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：210nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102

工作温度：-55℃~+175℃

功率：263W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.27nF@50V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：4.5mΩ@10V，100A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：132W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：55nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.14mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：4973}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK6E3R2-55C，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：306W

阈值电压：2.8V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：258nC@10V

输入电容：15.3nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.2mΩ@25A，10V

漏源电压：55V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：2000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK6E2R3-40C，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：306W

阈值电压：2.8V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：260nC@10V

输入电容：15.1nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.3mΩ@25A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：4000，"17+"：15000，"9999"：992}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK6E4R0-75C，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：306W

阈值电压：2.8V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：234nC@10V

输入电容：15.45nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：4.2mΩ@25A，10V

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：132W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：55nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.14mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：132W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：55nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.14mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102

工作温度：-55℃~+175℃

功率：263W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.27nF@50V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：4.5mΩ@10V，100A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102

工作温度：-55℃~+175℃

功率：263W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：74nC@10V

包装方式：管件

输入电容：5.27nF@50V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：4.5mΩ@10V，100A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：132W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：55nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.14mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP023N10N5

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：210nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：500psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP023N10N5

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：210nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：2mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK6E4R0-75C，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：306W

阈值电压：2.8V@1mA

栅极电荷：234nC@10V

输入电容：15.45nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：4.2mΩ@25A，10V

漏源电压：75V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP036N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：116nC@10V

包装方式：管件

输入电容：7.295nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@75A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB120N04S4-02

工作温度：-55℃~+175℃

功率：158W

阈值电压：2V

栅极电荷：134nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.58mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPI024N06N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V@196μA

栅极电荷：206nC@10V

输入电容：17nF@30V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

反向传输电容：120pF@30V

导通电阻：1.8mΩ@10V，100A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP054N10

工作温度：-55℃~+175℃

功率：263W

阈值电压：4.5V@250μA

栅极电荷：203nC@10V

包装方式：管件

输入电容：13.28nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.5mΩ@75A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPI024N06N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：3V@196μA

栅极电荷：206nC@10V

输入电容：17nF@30V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

反向传输电容：120pF@30V

导通电阻：1.8mΩ@10V，100A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"22+"：222}

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP054N10

工作温度：-55℃~+175℃

功率：263W

阈值电压：4.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：203nC@10V

包装方式：管件

输入电容：13.28nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：5.5mΩ@75A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：5000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPW1R104PB，L1XHQ

工作温度：-55℃~+175℃

功率：132W

阈值电压：3V

ECCN：EAR99

栅极电荷：55nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.14mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

生产批次：{"11+"：2000}

销售单位：个

规格型号(MPN)：BUK6E2R3-40C，127

工作温度：-55℃~+175℃

功率：306W

阈值电压：2.8V@1mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：260nC@10V

输入电容：15.1nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.3mΩ@25A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB120N04S4-02

工作温度：-55℃~+175℃

功率：158W

阈值电压：2V

栅极电荷：134nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.58mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP036N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：116nC@10V

包装方式：管件

输入电容：7.295nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@75A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPB020N10N5

工作温度：-55℃~+175℃

功率：375W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：210nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：120A

类型：MOSFET

导通电阻：1.7mΩ

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：IPP024N06N3 G

工作温度：-55℃~+175℃

功率：250W

阈值电压：4V@196μA

栅极电荷：275nC@10V

输入电容：23nF@30V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：2.4mΩ@10V，100A

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：50psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：FDP036N10A

工作温度：-55℃~+175℃

功率：333W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：116nC@10V

包装方式：管件

输入电容：7.295nF@25V

连续漏极电流：120A

类型：1个N沟道

导通电阻：3.6mΩ@75A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1