品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R6-25YLEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:124W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:27nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:185A
类型:MOSFET
导通电阻:1.9mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R6-25YLEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:124W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:27nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:185A
类型:MOSFET
导通电阻:1.9mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R6-25YLEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:124W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:27nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:185A
类型:MOSFET
导通电阻:1.9mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R6-25YLEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:124W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:27nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:185A
类型:MOSFET
导通电阻:1.9mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R6-25YLEX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:124W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:27nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:185A
类型:MOSFET
导通电阻:1.9mΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2233
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2233
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2233
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:69nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
连续漏极电流:185A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:2233
规格型号(MPN):FDBL86066-F085
连续漏极电流:185A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.24nF@50V
类型:1个N沟道
导通电阻:4.1mΩ@80A,10V
阈值电压:4V@250μA
工作温度:-55℃~+175℃
功率:300W
栅极电荷:69nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: