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    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT18N10D 起订44个装
    MINOS Mosfet场效应管 MDT18N10D 起订44个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT18N10D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:31W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:16nC@10V

    输入电容:680pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:85pF@25V

    导通电阻:90mΩ@10V,5A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS414CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS414CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS414CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.9nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:18A

    类型:MOSFET

    导通电阻:23mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS414CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS414CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS414CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.9nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:18A

    类型:MOSFET

    导通电阻:23mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS414CENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS414CENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS414CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:33W

    阈值电压:2.5V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.9nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:18A

    类型:MOSFET

    导通电阻:23mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MASPOWER Mosfet场效应管 MS18N100HGC0 起订30个装
    MASPOWER Mosfet场效应管 MS18N100HGC0 起订30个装

    品牌:MASPOWER

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MS18N100HGC0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:470W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:66.64nC

    输入电容:2.85nF

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:30pF

    导通电阻:550mΩ@10V,9A

    漏源电压:1kV

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订9000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订9000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQSA70CENW-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62.5W

    阈值电压:3.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:68.5mΩ@7A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD12N06RLESM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:49W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:485pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:63mΩ@10V,18A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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