品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT18N10D
工作温度:-55℃~+175℃
功率:31W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
输入电容:680pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:85pF@25V
导通电阻:90mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS414CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:18A
类型:MOSFET
导通电阻:23mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS414CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:18A
类型:MOSFET
导通电阻:23mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS414CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.9nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:18A
类型:MOSFET
导通电阻:23mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MASPOWER
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MS18N100HGC0
工作温度:-55℃~+175℃
功率:470W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:66.64nC
输入电容:2.85nF
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:30pF
导通电阻:550mΩ@10V,9A
漏源电压:1kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQSA70CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:62.5W
阈值电压:3.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:68.5mΩ@7A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: