采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@50V
连续漏极电流：23.3A€104A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR510DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@50V
连续漏极电流：31A€126A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@50V
连续漏极电流：23.3A€104A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@50V
连续漏极电流：23.3A€104A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR510DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@50V
连续漏极电流：31A€126A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@50V
连续漏极电流：23.3A€104A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@50V
连续漏极电流：23.3A€104A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM70060E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3330pF@50V
连续漏极电流：131A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ48NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@32A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@50V
连续漏极电流：23.3A€104A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR510DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@50V
连续漏极电流：31A€126A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR510DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@50V
连续漏极电流：31A€126A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR510DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@50V
连续漏极电流：31A€126A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR510DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@50V
连续漏极电流：31A€126A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR510DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@50V
连续漏极电流：31A€126A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@50V
连续漏极电流：23.3A€104A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB60N06T4G
功率：2.4W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR510DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@50V
连续漏极电流：31A€126A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3750pF@50V
连续漏极电流：23.3A€104A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR510DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4980pF@50V
连续漏极电流：31A€126A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
