品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIDR668ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@50V
连续漏极电流:23.3A€104A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTG111N20NM3FDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:4V@267µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@100V
连续漏极电流:10.8A€108A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@96A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":630,"24+":1800}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPTG210N25NM3FDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€375W
阈值电压:4V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@125V
连续漏极电流:7.7A€77A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@69A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":329,"17+":378,"18+":6767}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6610-75C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5251pF@25V
连续漏极电流:78A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.1V@150µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6020pF@15V
连续漏极电流:17.7A€100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPHR9203PL1,LQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.1V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7540pF@15V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:0.92mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R4-30BLE,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:178W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4682pF@15V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ48NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€130W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@32A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":3799}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7483MTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:74W
阈值电压:3.9V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3913pF@25V
连续漏极电流:135A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@81A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18535KTTT
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6620pF@30V
连续漏极电流:200A€279A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4510TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3031pF@50V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@38A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR510DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4980pF@50V
连续漏极电流:31A€126A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD90N06S405ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@60µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.1mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM70060E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3330pF@50V
连续漏极电流:131A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@30A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB80N06S405ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.1V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6020pF@15V
连续漏极电流:17.7A€100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L1R9ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:100W
阈值电压:2V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4310pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ138EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:312W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4715pF@25V
连续漏极电流:330A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC060P03NS3EGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€83W
阈值电压:3.1V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6020pF@15V
连续漏极电流:17.7A€100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: