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    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 4V@250µA
    栅极电荷: 44nC@10V
    当前匹配商品:200+
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9640STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@50V

    连续漏极电流:7.4A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@50V

    连续漏极电流:7.4A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订30个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订30个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B05NT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS6B05NT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":92500,"17+":12}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS6B05NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W€138W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@50V

    连续漏极电流:16A€104A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRLPBF 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRLPBF 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3910TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR2905ZTRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR2905ZTRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR2905ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@36A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR2905ZTRL 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR2905ZTRL 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFR2905ZTRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@36A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR2905ZTRL 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFR2905ZTRL 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFR2905ZTRL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@36A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101DC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101DC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2699,"22+":2692,"MI+":2941}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3135pF@50V

    连续漏极电流:14.5A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101DC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101DC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3135pF@50V

    连续漏极电流:14.5A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9640STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ8N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ8N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:754pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR2905ZTRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR2905ZTRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR2905ZTRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@25V

    连续漏极电流:42A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@36A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3910TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@50V

    连续漏极电流:7.4A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7456DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7456DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@9.3A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRLPBF 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3910TRLPBF 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3910TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:79W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:115mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101DC 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86101DC 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2699,"22+":2692,"MI+":2941}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86101DC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3135pF@50V

    连续漏极电流:14.5A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF 起订400个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9640STRLPBF 起订400个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9640STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS3672 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS3672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2680pF@50V

    连续漏极电流:7.4A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@7.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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