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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA138K_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K56CT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K56CT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSM3K56CT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
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栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SSM3K56ACT，L3F
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
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栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
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功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
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规格型号(MPN)：SSM3K56ACT，L3F
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功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
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输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
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功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
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连续漏极电流：500mA
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输入电容：55pF@10V
连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
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连续漏极电流：800mA
类型：N沟道
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导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
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连续漏极电流：1.4A
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连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
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输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
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类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
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连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：1.4A
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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功率：500mW
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类型：N沟道
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漏源电压：20V
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功率：500mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
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类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
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销售单位：个
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功率：500mW
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导通电阻：235mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
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