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    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 500mW
    当前匹配商品:5600+
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    INFINEON Mosfet场效应管 BSS126H6327XTSA2 起订12个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS126H6327XTSA2 起订12个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS126H6327XTSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.6V@8µA

    栅极电荷:2.1nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:28pF@25V

    连续漏极电流:21mA

    类型:N沟道

    导通电阻:500Ω@16mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8812DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8812DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:59mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN335N 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN335N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:310pF@10V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@1.7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS119NH6327XTSA1 起订14个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS119NH6327XTSA1 起订14个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS119NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@13µA

    栅极电荷:0.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.9pF@25V

    连续漏极电流:190mA

    类型:N沟道

    导通电阻:6Ω@190mA,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J213FE(TE85L,F 起订8个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J213FE(TE85L,F 起订8个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J213FE(TE85L,F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002DWH6327XTSA1 起订8224个装
    INFINEON Mosfet场效应管 2N7002DWH6327XTSA1 起订8224个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8802DB-T2-E1 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8802DB-T2-E1 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8802DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:700mV@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF 起订6个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J135TU,LF 起订6个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J135TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:103mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438_R1_00001 起订3000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3438_R1_00001 起订3000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3438_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.95nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订840个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL207NH6327XTSA1 起订840个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":54000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@11µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:419pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS340NWH6327XTSA1 起订2137个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS340NWH6327XTSA1 起订2137个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":22095}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS340NWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@1.6µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@15V

    连续漏极电流:880mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@880mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS332P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS332P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250μA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@10V

    连续漏极电流:1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@4.5V,1.1A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@24V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD13385F5 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD13385F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:674pF@6V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@900mA,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDN304PZ 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN304PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1310pF@10V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:52mΩ@2.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems Mosfet场效应管 SD5401CY SOIC 14L ROHS 起订2500个装
    Linear Integrated Systems Mosfet场效应管 SD5401CY SOIC 14L ROHS 起订2500个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SD5401CY SOIC 14L ROHS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@1µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:50mA

    类型:4个N通道

    导通电阻:75Ω@1mA,5V

    漏源电压:10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Linear Integrated Systems Mosfet场效应管 SD5401CY SOIC 14L ROHS 起订1个装
    Linear Integrated Systems Mosfet场效应管 SD5401CY SOIC 14L ROHS 起订1个装

    品牌:Linear Integrated Systems

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SD5401CY SOIC 14L ROHS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@1µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:50mA

    类型:4个N通道

    导通电阻:75Ω@1mA,5V

    漏源电压:10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8821EDB-T2-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8821EDB-T2-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    栅极电荷:1.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N40TU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N40TU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:122mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX1029X,115 起订4000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX1029X,115 起订4000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX1029X,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:330mA€170mA

    类型:N和P沟道

    导通电阻:7.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V€50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5618P 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN5618P 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN5618P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:430pF@30V

    连续漏极电流:1.25A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL316CH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL316CH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL316CH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@3.7µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:1.4A€1.5A

    类型:N和P沟道互补型

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL308PEH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL308PEH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL308PEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@11µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订13个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25485F5 起订13个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25485F5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:533pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@900mA,8V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    ROHM Mosfet场效应管 2SK2463T100 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 2SK2463T100 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK2463T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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