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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：302750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUF4189NZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：302750}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUF4189NZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUF4189NZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：95pF@15V
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUF4189NZTBG
导通电阻：200mΩ@1.5A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：1.2A
类型：N沟道
输入电容：95pF@15V
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P54TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：331pF@10V
连续漏极电流：1.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：228mΩ@600mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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