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    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    功率: 500mW
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS340NWH6327XTSA1 起订2137个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS340NWH6327XTSA1 起订2137个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":22095}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS340NWH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@1.6µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@15V

    连续漏极电流:880mA

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@880mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS4141NT1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS4141NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@24V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8821EDB-T2-E1 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8821EDB-T2-E1 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8821EDB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS306NH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS306NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    栅极电荷:1.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@15V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N40TU,LF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N40TU,LF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N40TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.6V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:180pF@15V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:122mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL316CH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL316CH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL316CH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@3.7µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:1.4A€1.5A

    类型:N和P沟道互补型

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL308PEH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL308PEH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL308PEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@11µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@3.7µA

    栅极电荷:0.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N24TU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N24TU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N24TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@100µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:245pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:145mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订35个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3067LW-7 起订35个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3067LW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:4.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:447pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订14个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS316NH6327XTSA1 起订14个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS316NH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@3.7µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:94pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS352AP 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS352AP

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:135pF@15V

    连续漏极电流:900mA

    类型:1个P沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4 起订21个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4 起订21个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17484F4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:195pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订16个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订16个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1 起订3000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS315PH6327XTSA1 起订3000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS315PH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    栅极电荷:2.3nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:282pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL308PEH6327XTSA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSL308PEH6327XTSA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSL308PEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@11µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RHP030N03T100 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RHP030N03T100

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:6.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:160pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K131TU,LF 起订3000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K131TU,LF 起订3000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K131TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:10.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:27.6mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDS351AN 起订33个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDS351AN 起订33个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS351AN

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:1.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:145pF@15V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP32D4SFB-7B 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP32D4SFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:1.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@15V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:2.4Ω@200mA,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订23个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN337N 起订23个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN337N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@2.2A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSS308PEH6327XTSA1 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS308PEH6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2V@11µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMN100-7-F 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN100-7-F 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN100-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:5.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:1.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:240mΩ@1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J214FE(TE85L,F 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6J214FE(TE85L,F 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6J214FE(TE85L,F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@1mA

    栅极电荷:7.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:560pF@15V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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