品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2463T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K131TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:27.6mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP030N03T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:6.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:160pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:490pF@15V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K131TU,LF
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:10.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:27.6mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2463T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:200pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2103T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@1A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RHP020N06T100
工作温度:150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@10V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: