采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL308PEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@11µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2463T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：10nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN342P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3065T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@1A，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL308PEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@11µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K122TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.4nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：123mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3065T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@1A，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN360P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：298pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN327N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：423pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RHP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6J402TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：10nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN340P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：779pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：10nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：10nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J117TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：117mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@15V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJP020N06T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：10nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3065T100
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：320mΩ@1A，4V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
