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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：173000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL214NL6327HTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104LP-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN308P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：341pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2V@11µA
栅极电荷：2.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：282pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104LP-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NWH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL215CH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：1.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS215PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：346pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS215PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：346pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17483F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P39TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS215PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：346pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104LP-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104LP-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2104LP-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8816EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：195pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：109mΩ@1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN358P
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17483F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：190pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6P39TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS215PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@11µA
栅极电荷：3.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：346pF@15V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSL215CH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：N和P沟道互补型
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS214NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@3.7μA
栅极电荷：800pC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：143pF@10V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
