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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKV，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：BSS123_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
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类型：N沟道
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类型：2个P沟道（双）
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ECCN：EAR99
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栅极电荷：1.8nC@10V
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连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
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导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
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类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
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功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
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导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
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类型：N沟道
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连续漏极电流：170mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
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连续漏极电流：170mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
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功率：500mW
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输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
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栅极电荷：1.8nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
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输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
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行业应用：工业,汽车
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功率：500mW
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输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
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行业应用：工业,汽车
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功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
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输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKV，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKV，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKV，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84AKV，115
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功率：500mW
阈值电压：2.1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：7.5Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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