品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3415STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@22A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N10S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14600pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":6591,"23+":8740,"24+":7297}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT014N08NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14000pF@40V
连续漏极电流:37A€331A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@150A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N10S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14600pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7450pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@10V
连续漏极电流:17.5A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3415STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@22A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF1404STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:162A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7450pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":800,"22+":8800}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF1404STRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF60DM206
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:3.7V@150µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6530pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3415STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@22A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP83P04PDG-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9820pF@10V
连续漏极电流:83A
类型:P沟道
导通电阻:5.3mΩ@41.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":800,"22+":8800}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF1404STRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@10V
连续漏极电流:17.5A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7450pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":800,"22+":8800}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF1404STRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N10S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14600pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N10S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14600pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50020EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15100pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB180N10S402ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.5V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14600pF@25V
连续漏极电流:180A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":800,"22+":8800}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRF1404STRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@95A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: