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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL13N60DM2
工作温度：150℃
功率：52W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：730pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：370mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
输入电容：400pF@25V
类型：N沟道
漏源电压：650V
连续漏极电流：8A
功率：100W
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
功率：70W
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
栅极电荷：20nC@10V
漏源电压：600V
导通电阻：600mΩ@4A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
