采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3473DDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1975pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：17.8mΩ@8.7A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ960EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：34W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：735pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3410EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2805}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC150N03LDGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3473CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：22mΩ@8.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3460EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6375
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：36nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2694pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4804CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：865pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：22mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483CDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：33nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：34mΩ@6.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si4943CDY-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2348ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4904DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.25W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2390pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3461EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@6V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@7.9A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4943CDY-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1945pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：19.2mΩ@8.3A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ86530L
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2295pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：4N沟道（全桥）
导通电阻：17.5mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9362TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：21mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
