采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3410EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3460EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2348ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E080BNTR
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.6mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS420EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：18W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3460BDV-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€3.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3424CDV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@7.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4436DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8NM60T4
工作温度：-55℃~150℃
功率：100W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080BNTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R600P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.4W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@500V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL18N65M2
工作温度：150℃
功率：57W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：21.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：764pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：365mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L080SNFRATL
工作温度：150℃
功率：15W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E080GNTB
工作温度：150℃
功率：2W€15W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：295pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：16.7mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4020LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：19.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1060pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
