采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：109W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：529pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB8P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€65W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10LN80K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：427pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：630mΩ@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
