采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS027N10MCLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W€3.1W
阈值电压：3V@38μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：7.4A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DI100N10PQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.4nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS027N10MCLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W€3.1W
阈值电压：3V@38μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：7.4A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-100YSFX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：198W
阈值电压：3.1V@1mA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.758nF@50V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@50V
导通电阻：7.2mΩ@10V，25A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：19500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-100YSFX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：198W
阈值电压：3.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.758nF@50V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@50V
导通电阻：7.2mΩ@10V，25A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLR3110ZTRPBF
工作温度：-55℃~+175℃
功率：140W
阈值电压：2.5V@100μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.98nF@25V
连续漏极电流：42A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@10V，38A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS015N10MCLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：79W
阈值电压：1.5V@77μA
栅极电荷：9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.338nF@50V
连续漏极电流：54A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9pF@50V
导通电阻：9.7mΩ@10V，14A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4657}
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3.8V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4657}
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3.8V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：19500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-100YSFX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：198W
阈值电压：3.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.758nF@50V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@50V
导通电阻：7.2mΩ@10V，25A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4657}
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3.8V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3.8V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：6000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IQE065N10NM5SCATMA1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3.8V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：MOSFET
导通电阻：6.5mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS027N10MCLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W€3.1W
阈值电压：3V@38μA
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：7.4A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H2M5STLW-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：5.8W€230.8W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：124.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8.45nF@50V
连续漏极电流：215A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5mΩ@30A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN8R7-100YSFX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：198W
阈值电压：3.1V@1mA
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.758nF@50V
连续漏极电流：90A
类型：1个N沟道
反向传输电容：17pF@50V
导通电阻：7.2mΩ@10V，25A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS027N10MCLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W€3.1W
阈值电压：3V@38μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：7.4A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBS9D0N10MC
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.8W€68W
阈值电压：3V@131μA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.695nF@50V
连续漏极电流：14A€60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：13pF@50V
导通电阻：7.8mΩ@10V，23A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS027N10MCLTAG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W€3.1W
阈值电压：3V@38μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@50V
连续漏极电流：7.4A€28A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
