品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":19500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD068N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:150W
阈值电压:3.5V@90μA
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.91nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.8mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):SUM90P10-19L-E3
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:326nC@10V
连续漏极电流:90A
阈值电压:3V@250μA
输入电容:11.1nF@50V
导通电阻:19mΩ@10V,20A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:13.6W€375W
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R7-100YSFX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:198W
阈值电压:3.1V@1mA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.758nF@50V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:17pF@50V
导通电阻:7.2mΩ@10V,25A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: