品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1HNK60R-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1HNK60R-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2LN60K3-AP
工作温度:150℃
功率:2.5W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:600mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1HNK60R-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1HNK60R-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:156pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:8.5Ω@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:784pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ2HNK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STQ1NK60ZR-AP
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:6.9nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:94pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: