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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
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功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
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功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
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功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
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功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
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连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
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规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
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功率：3W
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连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
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栅极电荷：6.9nC@10V
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输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
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输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
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输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
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栅极电荷：6.2nC@10V
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输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
连续漏极电流：300mA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：6.9nC@10V
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导通电阻：15Ω@400mA，10V
功率：3W
包装方式：剪切带（CT）
漏源电压：600V
输入电容：94pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
连续漏极电流：300mA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：6.9nC@10V
阈值电压：4.5V@50µA
导通电阻：15Ω@400mA，10V
功率：3W
包装方式：剪切带（CT）
漏源电压：600V
输入电容：94pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
连续漏极电流：300mA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：6.9nC@10V
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导通电阻：15Ω@400mA，10V
功率：3W
包装方式：剪切带（CT）
漏源电压：600V
输入电容：94pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
连续漏极电流：300mA
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
栅极电荷：6.9nC@10V
阈值电压：4.5V@50µA
导通电阻：15Ω@400mA，10V
功率：3W
包装方式：剪切带（CT）
漏源电压：600V
输入电容：94pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STQ1NK60ZR-AP
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：94pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：15Ω@400mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQN1N60CTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W€3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@10V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：170pF@25V
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导通电阻：11.5Ω@150mA，10V
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