采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30000，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK49N65W，S1F(S
工作温度：+150℃
功率：400W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：160nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：49.2A
类型：MOSFET
导通电阻：55mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30000，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：30000，"MI+"：6000}
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCMT125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：49nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：125mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK49N65W，S1F(S
工作温度：+150℃
功率：400W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：160nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：49.2A
类型：MOSFET
导通电阻：55mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK49N65W，S1F(S
工作温度：+150℃
功率：400W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：160nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：49.2A
类型：MOSFET
导通电阻：55mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK49N65W，S1F(S
工作温度：+150℃
功率：400W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：160nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：49.2A
类型：MOSFET
导通电阻：55mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK49N65W，S1F(S
工作温度：+150℃
功率：400W
阈值电压：2.5V
栅极电荷：160nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：49.2A
类型：MOSFET
导通电阻：55mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
