品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT250N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1010pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0045065J1
工作温度:-40℃~150℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@4.84mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1621pF@400V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@17.6A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD11N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:410pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:670mΩ@3.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R099CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:255W
阈值电压:3.5V@1.2mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2800pF@100V
连续漏极电流:31A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R150CFDATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:195.3W
阈值电压:4.5V@900µA
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@100V
连续漏极电流:22.4A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@9.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.9V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:34.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@21.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB070N65S3
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK210V65Z,LQ
工作温度:150℃
功率:130W
阈值电压:4V@610µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1370pF@300V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:210mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":206}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R027M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:189W
阈值电压:5.7V@11mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@18V
包装方式:管件
输入电容:2131pF@400V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:34mΩ@38.3A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R095C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2140pF@400V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@11.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R022M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:5.7V@12.3mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2288pF@400V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@41.1A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCU600N65S3R0
工作温度:-55℃~150℃
功率:54W
阈值电压:4.5V@600µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:465pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBG045N065SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:242W
阈值电压:4.3V@8mA
栅极电荷:105nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1890pF@325V
连续漏极电流:62A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@25A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP190N65F
工作温度:-55℃~150℃
功率:208W
阈值电压:5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3225pF@25V
连续漏极电流:20.6A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH80N65X2-4
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:890W(Tc)
阈值电压:5V @ 4mA
栅极电荷:140 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:8300 pF @ 25 V
连续漏极电流:80A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:38 毫欧 @ 500mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP65R041CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:4.5V@1.24mA
栅极电荷:102nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4975pF@400V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@24.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60
工作温度:-65℃~150℃
功率:160W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1000pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":80}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH067N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4.5V@4.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3090pF@400V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@22A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL050N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:378W
阈值电压:5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5017pF@400V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@29A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSJPF20N65-BP
工作温度:-55℃~150℃
功率:31.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:901pF@50V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@5.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R018CFD7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4.5V@2.91mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:234nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11659pF@400V
连续漏极电流:106A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@58.2A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R019C7FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:4V@2.92mA
栅极电荷:215nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9900pF@400V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@58.3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPAN60R125PFD7SXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:32W
阈值电压:4.5V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1503pF@400V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@7.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCTL90N65G2V
工作温度:-55℃~175℃
功率:935W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:157nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3380pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:24Ω@40A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0120065L-TR
工作温度:-40℃~175℃
功率:86W
阈值电压:3.6V@1.86mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@400V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:157mΩ@6.76A,15V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP34N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:3330pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: