采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP12N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1134pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.43Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK13A65U(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@6.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2000，"MI+"：1000}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK5A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：1.43Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF35N65DM2
功率：40W
连续漏极电流：32A
导通电阻：110mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF42N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4650pF@100V
连续漏极电流：33A
类型：N沟道
导通电阻：79mΩ@16.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP12N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1134pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP12N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1134pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504KNXC7G
功率：40W
阈值电压：5V@130μA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF095N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：40W
阈值电压：4V
栅极电荷：58nC
连续漏极电流：30A
类型：MOSFET
导通电阻：95mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF45N65M5
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3375pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：78mΩ@19.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFP12N65X2M
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1134pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：310mΩ@6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
