品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP34N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:96mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP34N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:96mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT20N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:2.512nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@25V
导通电阻:400mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP34N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:96mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT20N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:2.512nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@25V
导通电阻:400mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:28A
导通电阻:110mΩ@14A,10V
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:650V
功率:210W
输入电容:2400pF@100V
栅极电荷:54nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IXTP34N65X2
导通电阻:96mΩ@17A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:34A
功率:540W
包装方式:Tube
漏源电压:650V
输入电容:3000pF@25V
栅极电荷:54nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT20N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:2.512nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@25V
导通电阻:400mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT20N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:2.512nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@25V
导通电阻:400mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT20N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:2.512nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@25V
导通电阻:400mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT20N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:2.512nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@25V
导通电阻:400mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP34N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:3000pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:96mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB35N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:210W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@100V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@14A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: