采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH62N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：780W
阈值电压：4.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5940pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4LN040N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：379W
阈值电压：4V@6.8mA
栅极电荷：132nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6513pF@400V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
功率：625W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：650V
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
导通电阻：52mΩ@32A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：62A
输入电容：7379pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
功率：625W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
漏源电压：650V
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
导通电阻：52mΩ@32A，10V
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：62A
输入电容：7379pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH62N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：780W
阈值电压：4.5V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5940pF@25V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@31A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG045N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：242W
阈值电压：4.3V@8mA
栅极电荷：105nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1890pF@325V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW61N65EF-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：625W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：344nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7379pF@100V
连续漏极电流：62A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
