品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
功率:100W
阈值电压:4V@450μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@10V,5.8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
功率:100W
阈值电压:4V@450μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@10V,5.8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
功率:100W
阈值电压:4V@450μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@10V,5.8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
功率:100W
阈值电压:4V@450μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@10V,5.8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
功率:100W
阈值电压:4V@450μA
栅极电荷:25nC@10V
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@10V,5.8A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK290P65Y,RQ
工作温度:150℃
功率:100W
阈值电压:4V@450µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:730pF@300V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@5.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GAN190-650FBEZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@12.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@6V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:96pF@400V
连续漏极电流:11.5A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@3.9A,6V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: