品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060AW7TL
工作温度:175℃
功率:159W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060AW7TL
工作温度:175℃
功率:159W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R099C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2780pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@12.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK065U65Z,RQ
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:4V@1.69mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3650pF@300V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060AW7TL
工作温度:175℃
功率:159W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060AW7TL
工作温度:175℃
功率:159W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060AW7TL
工作温度:175℃
功率:159W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060AW7TL
工作温度:175℃
功率:159W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060AW7TL
工作温度:175℃
功率:159W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060AW7TL
工作温度:175℃
功率:159W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L075N065SC1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:148W
阈值电压:4.3V
栅极电荷:61nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:38A
类型:MOSFET
导通电阻:85mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L075N065SC1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:148W
阈值电压:4.3V
栅极电荷:61nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:38A
类型:MOSFET
导通电阻:85mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK065U65Z,RQ
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:4V@1.69mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3650pF@300V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L075N065SC1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:148W
阈值电压:4.3V
栅极电荷:61nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:38A
类型:MOSFET
导通电阻:85mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L075N065SC1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:148W
阈值电压:4.3V
栅极电荷:61nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:38A
类型:MOSFET
导通电阻:85mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK065U65Z,RQ
功率:270W
阈值电压:4V@1.69mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.65nF@300V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:65mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L075N065SC1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:148W
阈值电压:4.3V
栅极电荷:61nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:38A
类型:MOSFET
导通电阻:85mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L075N065SC1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:148W
阈值电压:4.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:38A
类型:MOSFET
导通电阻:85mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R055CFD7ATMA1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:178W
阈值电压:4.5V@900μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:79nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.194nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:55mΩ@18A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060AW7TL
工作温度:175℃
功率:159W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R099C6FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@1.2mA
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2780pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@12.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK065U65Z,RQ
工作温度:150℃
功率:270W
阈值电压:4V@1.69mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3650pF@300V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA65R099C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2780pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@12.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R099C6FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:278W
阈值电压:3.5V@1.2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:127nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2780pF@100V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@12.8A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT3060AW7TL
工作温度:175℃
功率:159W
阈值电压:5.6V@6.67mA
栅极电荷:58nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:852pF@500V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@13A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: