采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN063-650WSAQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：34.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P65W，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P65W，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8N65M5
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：4.5pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT5N65C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：623pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.9pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT4N65T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：106W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2.4Ω@10V，2A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P65W，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN063-650WSAQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：34.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7P65W，RQ
工作温度：150℃
功率：60W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@300V
连续漏极电流：6.8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N65M5
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N65M5
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB8N65M5
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6504END3TL1
功率：58W
阈值电压：4V@130μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.05Ω@1.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N65M5
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：300psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GAN063-650WSAQ
工作温度：-55℃~175℃
功率：143W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：34.5A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N65M5
工作温度：150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：690pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF8N65M5
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：690pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT5N65D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：54W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：623pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：2.9pF@25V
导通电阻：2.2Ω@10V，2.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT4N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：545pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：8pF@25V
导通电阻：2Ω@10V，1A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF4N65
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
功率：25W
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
输入电容：545pF@25V
反向传输电容：4.5pF@25V
栅极电荷：15nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：2Ω@10V，2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N65M5
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
功率：70W
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：650V
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：690pF@100V
连续漏极电流：7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
