品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
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输入电容:3745pF@400V
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类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
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输入电容:3745pF@400V
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类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
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连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
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类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
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导通电阻:80mΩ@19A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
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连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
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输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
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连续漏极电流:38A
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导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:3745pF@400V
类型:N沟道
漏源电压:650V
功率:260W
导通电阻:64mΩ@20A,10V
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
连续漏极电流:40A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
栅极电荷:71nC@10V
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连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
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导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5022,"23+":2600}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
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栅极电荷:71nC@10V
输入电容:2.765nF@400V
连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
栅极电荷:71nC@10V
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连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":2954}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCMT080N65S3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:4.5V@880μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
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连续漏极电流:38A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@19A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: