品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:169pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:169pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:169pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:169pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:169pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:169pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:169pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@10V
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连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:169pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
阈值电压:2.8V@500µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@8V
输入电容:760pF@400V
功率:13.2W
漏源电压:650V
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
连续漏极电流:3.6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
阈值电压:2.8V@500µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@8V
输入电容:760pF@400V
功率:13.2W
漏源电压:650V
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
连续漏极电流:3.6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
阈值电压:2.8V@500µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
栅极电荷:9nC@8V
输入电容:760pF@400V
功率:13.2W
漏源电压:650V
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
连续漏极电流:3.6A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
栅极电荷:4.6nC@10V
类型:1个N沟道
连续漏极电流:3.6A
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
输入电容:169pF@400V
工作温度:-40℃~+150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
栅极电荷:4.6nC@10V
类型:1个N沟道
功率:6W
输入电容:169pF@400V
工作温度:-40℃~+150℃
漏源电压:650V
连续漏极电流:3.6A
ECCN:EAR99
阈值电压:4.5V@40μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:169pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Transphorm
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TP65H480G4JSG-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:13.2W
阈值电压:2.8V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@3.4A,8V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:169pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:169pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R1K5PFD7SATMA1
工作温度:-40℃~+150℃
功率:6W
阈值电压:4.5V@40μA
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:169pF@400V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@700mA,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: