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    行业应用: 汽车
    漏源电压: 60V
    包装方式: 卷带(TR)
    连续漏极电流: 8A
    当前匹配商品:400+
    商品信息
    参数
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    价格
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ960EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ960EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ960EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMQ86530L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMQ86530L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMQ86530L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2295pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:4N沟道(全桥)

    导通电阻:17.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7351TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@50µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17.8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7351TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17.8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7351TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@50µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17.8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7351TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2304

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7351TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:4V@50µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1330pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:17.8mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7309DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K39GZETB 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K39GZETB 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K39GZETB

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.7V@200µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSD080N06TL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RSD080N06TL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD080N06TL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K39GZETB 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K39GZETB 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K39GZETB

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.7V@200µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3L080SNFRATL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3L080SNFRATL

    工作温度:150℃

    功率:15W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:380pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K39GZETB 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8K39GZETB 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8K39GZETB

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.7V@200µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1240pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-GE3 起订7500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-GE3 起订7500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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