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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0LFDE-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0LFDE-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2130K1-G 起订6个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2130K1-G 起订6个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2130K1-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:85mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@120mA,4.5V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB38N30U 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB38N30U 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB38N30U

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:73nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3340pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@19A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP230,135 起订9个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSP230,135 起订9个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP230,135

    工作温度:150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.55V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:90pF@25V

    连续漏极电流:210mA

    类型:P沟道

    导通电阻:17Ω@170mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订12000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订12000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD10N30-330H_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD10N30-330H_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:4.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2190pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 DN2530N8-G 起订100个装
    Microchip Mosfet场效应管 DN2530N8-G 起订100个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DN2530N8-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:200mA

    类型:N沟道

    导通电阻:12Ω@150mA,0V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC13DN30NSFDATMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC13DN30NSFDATMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC13DN30NSFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@150V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@16A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC13DN30NSFDATMA1 起订250个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC13DN30NSFDATMA1 起订250个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC13DN30NSFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@150V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@16A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0LFDE-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0LFDE-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB28N30TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB28N30TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:129mΩ@14A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC13DN30NSFDATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC13DN30NSFDATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC13DN30NSFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@150V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@16A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0LFDE-7 起订20个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0LFDE-7 起订20个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:550mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NF30 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NF30 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NF30

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:103W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:780pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:330mΩ@5A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2130K1-G 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2130K1-G 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2130K1-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360mW

    阈值电压:2.4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:85mA

    类型:N沟道

    导通电阻:25Ω@120mA,4.5V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC13DN30NSFDATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC13DN30NSFDATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":3480,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC13DN30NSFDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@150V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@16A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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