品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3021SSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.799nF@15V
连续漏极电流:39A€10.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G170P03D3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
输入电容:1.805nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:207pF@15V
导通电阻:12mΩ@10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3021SSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.799nF@15V
连续漏极电流:39A€10.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5411_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.556nF@15V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9407_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:516pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9411_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.169nF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1200,"21+":1650,"22+":2489,"24+":549}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9411_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.169nF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV90EPR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9411_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.169nF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9407_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:4.8nC@4.5V
输入电容:516pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:1个P沟道
导通电阻:50mΩ@3A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD70P03_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€63W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.228nF@15V
连续漏极电流:70A€11A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD70P03_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€63W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.228nF@15V
连续漏极电流:70A€11A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD70P03_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€63W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.228nF@15V
连续漏极电流:70A€11A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXP9R1-30QLJ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:50W€1.8W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:86nC@10V
输入电容:2.86nF@15V
连续漏极电流:57.2A€10.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.1mΩ@10.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5411_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€40W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.556nF@15V
连续漏极电流:45A€10A
类型:1个P沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV90EPR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NXV90EPR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW€2.1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:252pF@15V
连续漏极电流:1.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJL9411_R2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.169nF@15V
连续漏极电流:8.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:20mΩ@8.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3728J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:1.2nF@15V
连续漏极电流:9A
类型:1个P沟道
反向传输电容:139pF@15V
导通电阻:22mΩ@10V,5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT3712G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:10nC@10V
输入电容:2.13nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
反向传输电容:227pF@25V
导通电阻:9.5mΩ@10V,15A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS352AP
工作温度:-55℃~+150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@15V
连续漏极电流:900mA
类型:1个P沟道
导通电阻:300mΩ@10V,1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G7P03L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1.5nF@15V
连续漏极电流:7A
类型:1个P沟道
导通电阻:19mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3021SSS-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.799nF@15V
连续漏极电流:39A€10.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:15mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: