采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327
功率：500mW
阈值电压：2V@11μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3481C
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W
阈值电压：1.7V@250μA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：720pF@15V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个P沟道
反向传输电容：70pF@15V
导通电阻：37mΩ@10V，4.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401L
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
导通电阻：50mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7LW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：380mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5203TR(UMW)
功率：300mW
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：85mΩ@10V，4.1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRR040P03FRATL
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P03D3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.805nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
反向传输电容：207pF@15V
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS352AP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@15V
连续漏极电流：900mA
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJE8405_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：1.6nC@4.5V
输入电容：137pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个P沟道
导通电阻：390mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS314PEH6327
功率：500mW
阈值电压：2V@6.3μA
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4407C
功率：3.1W
阈值电压：2.3V@250μA
连续漏极电流：14A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.5mΩ@10V，14A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3401L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250μA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
输入电容：880pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：1个P沟道
反向传输电容：75pF@15V
导通电阻：60mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G40P03D5
功率：48W
阈值电压：1.4V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3021SSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.799nF@15V
连续漏极电流：39A€10.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：384.4pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G7P03S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.7W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：24.5nC@10V
输入电容：1.253nF@15V
连续漏极电流：9A
类型：1个P沟道
反向传输电容：158pF@15V
导通电阻：16mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ086P03NS3G
功率：2.1W
阈值电压：3.1V@105μA
连续漏极电流：13.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：8.6mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS308PEH6327
功率：500mW
阈值电压：2V@11μA
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：80mΩ@10V，2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G3035
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：650pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：55mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"1E+"：2850}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJJ0315DPA-00#J5A
功率：30W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@4.5V
输入电容：4.3nF@10V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：5.9mΩ@17.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP31D7LW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：2.6V@250μA
栅极电荷：360pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：19pF@15V
连续漏极电流：380mA
类型：1个P沟道
导通电阻：900mΩ@420mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS314PEH6327
功率：500mW
阈值电压：2V@6.3μA
连续漏极电流：1.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：140mΩ@10V，1.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3160LQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.08W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：384.4pF@10V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个P沟道
导通电阻：122mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3J334R，LF(T
功率：1W
阈值电压：2V@100μA
连续漏极电流：4A
类型：1个P沟道
导通电阻：71mΩ@10V，3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DY
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@5V
输入电容：1.604nF@15V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@8.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
