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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2369BDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：19.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：745pF@15V
连续漏极电流：5.6A€7.5A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS05DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：65.7W€5W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4.93nF@15V
连续漏极电流：108A€29.4A
类型：1个P沟道
导通电阻：3.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2393DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@15V
连续漏极电流：6.1A€7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：22.7mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2243
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2343CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：5.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2243
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4431EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：6W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.265nF@15V
连续漏极电流：10.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7129DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~+150℃
功率：3.8W€52.1W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.345nF@15V
连续漏极电流：35A
类型：1个P沟道
导通电阻：11.4mΩ@14.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5403DC-T1-GE3
功率：6.3W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6A
类型：1个P沟道
导通电阻：30mΩ@10V，7.2A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2393DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.3W€2.5W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：25.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：980pF@15V
连续漏极电流：6.1A€7.5A
类型：1个P沟道
导通电阻：22.7mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3483DDV-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
导通电阻：31.2mΩ@5A，10V
输入电容：580pF@15V
功率：2W€3W
栅极电荷：14.5nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：8A€6.4A
阈值电压：2.2V@250μA
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7423DN-T1-E3
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：7.4A
漏源电压：30V
导通电阻：18mΩ@10V，11.7A
功率：1.5W
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
栅极电荷：56nC@10V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：Si2343CDS-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：1.25W€2.5W
连续漏极电流：5.9A
栅极电荷：21nC@10V
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：45mΩ@10V，4.2A
输入电容：590pF@15V
ECCN：EAR99
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：11.4A
阈值电压：3V@250μA
导通电阻：24mΩ@10V，9.1A
功率：2.5W€5W
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个P沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
