采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7401-JSM
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AP30P30Q-ES
功率：30W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：46nC
输入电容：1.78nF
连续漏极电流：39A
类型：1个P沟道
反向传输电容：200pF
导通电阻：8mΩ@10V，12A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC120N03LS G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：1V
栅极电荷：15nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：39A
类型：MOSFET
导通电阻：10mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4126DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€7.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4405pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：2.75mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN013-30MLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：519pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：13.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3E180BNTB
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：37nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：39A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
